在電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)制造工藝中使用ESD防護(hù)器件在STM和PCB設(shè)計(jì)中應(yīng)用已經(jīng)很廣泛，比如，經(jīng)常使用的手機(jī)內(nèi)部電路，還有PC主板中的防靜電工藝等。在此我們總結(jié)歸納一下都有哪些ESD保護(hù)器件。
一、ESD：Electrostatic Discharge
就是當(dāng)靜電能量達(dá)到一定程度后，擊穿其間介質(zhì)而進(jìn)行放電的現(xiàn)象。
就是當(dāng)靜電能量達(dá)到一定程度后，擊穿其間介質(zhì)而進(jìn)行放電的現(xiàn)象。
是一種極快的瞬間脈沖電流。ESD的特點(diǎn)是持續(xù)時(shí)間短（在0.7~1ns之間），低能量，瞬時(shí)高電壓。
二、防護(hù)措施
ESD保護(hù)器件要有能力把靜電放電的瞬間高電壓抑制到被保護(hù)器件可承受的電壓范圍內(nèi)。在為給定的應(yīng)用選擇最佳保護(hù)器件的時(shí)候，要考慮到ESD保護(hù)器件能夠迅速響應(yīng)并把ESD電壓控制到較低的電平。
三、ESD保護(hù)器件的分類和性能對(duì)比
1、在ESD的保護(hù)器件上采用硅材料技術(shù)，有代表性的如TVS二級(jí)管。
2、保護(hù)器件上使用了氧化鋅材料技術(shù)，如多層氧化鋅壓敏電阻MLV。
3、以高分子聚合物技術(shù)為代表的保護(hù)器件。
2、保護(hù)器件上使用了氧化鋅材料技術(shù)，如多層氧化鋅壓敏電阻MLV。
3、以高分子聚合物技術(shù)為代表的保護(hù)器件。
4、AEM科技新推出的新一代ESD保護(hù)器件“GcDiode”靜電保護(hù)器，采用獨(dú)有的玻璃陶瓷材料、自有專利制造工藝實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)；具有低漏電流（<0.1nA）,強(qiáng)耐受靜電沖擊，高穩(wěn)定性，低鉗位電壓（<50V）,低容值（<0.25pF）等性能優(yōu)勢(shì)，相比較其它的ESD保護(hù)器件具有較佳的性價(jià)比。
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