MOS管概念：

　　MOS管，即在集成電路中絕緣性場效應管。MOS英文全稱為金屬-氧化物-半導體，描述了集成電路中的結構，即：在一定結構的半導體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵極。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

　　MOS管工作原理：

　　MOS管的工作原理（以N溝道增強型MOS場效應管）它是利用VGS來控制“感應電荷”的多少，以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況，然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質的N區(qū)接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時，溝道內(nèi)被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

　　MOS管的性能參數(shù)：

　　優(yōu)質的MOS管可以接受的電流峰值更高。普通狀況下我們要判別主板上MOS管的質量上下，能夠看它能接受的最大電流值。影響MOS管質量上下的參數(shù)十分多，像極端電流、極端電壓等。但在MOS管上無法標注這么多參數(shù)，所以在MOS管外表普通只標注了產(chǎn)品的型號，我們能夠依據(jù)該型號上網(wǎng)查找詳細的性能參數(shù)。還要闡明的是，溫度也是MOS管一個十分重要的性能參數(shù)。主要包括環(huán)境溫度、管殼溫度、貯成溫度等。由于CPU頻率的進步，MOS管需求接受的電流也隨著加強，提供近百A的電流曾經(jīng)很常見了。如此宏大的電流經(jīng)過時產(chǎn)生的熱量當然使MOS管“發(fā)燒”了。為了MOS管的平安，高質量主板也開端為MOS管加裝散熱片了。

　　mos管三個引腳如何區(qū)分？

　　G極，不用說比較好認。

　　S極，不論是p溝道還是N溝道，兩根線相交的就是；

　　D極，不論是p溝道還是N溝道，是單獨引線的那邊。

　　判定柵極G：將萬用表撥至R&TImes;1k檔，用萬用表的負極任意接一電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個極，測其電阻。若兩次測得的電阻值近似相等，則負表筆所接觸的為柵極，另外兩電極為漏極和源極。漏極和源極互換，若兩次測出的電阻都很大，則為N溝道；若兩次測得的阻值都很小，則為P溝道。

　　判定源極S、漏極D：在源-漏之間有一個PN結，因此根據(jù)PN結正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。